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[主观题]

Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质,为什么?请举两例说明在集成电路工艺中的应用。

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第1题
在半导体工艺中,如果淀积的薄膜不是连续的,存在一些空隙,则()。
在半导体工艺中,如果淀积的薄膜不是连续的,存在一些空隙,则()。

A.使薄膜的介电常数变大

B.可能引入杂质

C.可能使薄膜层间短路

D.使薄膜介电常数变小

E.可能使薄膜厚度增加

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第2题

新型无机非金属材料碳化钛(TiC)、碳化硼(B4C)、氮化硅(Si3N4)等为非氧化物陶瓷,合成这些物质需要在高温条件下进行,在合成工艺中必须注意()。

A.通入充足的氧气

B.避免与氧气接触

C.不能在氮的气氛中合成

D.通入少量氧气

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第3题
在透皮给药系统中用作粘附层中的材料()。

A.乙烯-醋酸乙烯共聚物

B.药物及透皮吸收促进剂等

C.复合铝箔膜

D.压敏胶

E.塑料薄膜

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第4题
在透皮给药系统中用作背衬层的材料()。

A.乙烯-醋酸乙烯共聚物

B.药物及透皮吸收促进剂等

C.复合铝箔膜

D.压敏胶

E.塑料薄膜

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第5题
集成电路中所选金属化材料的特点有()。

A.良好的导电性

B.与半导体有良好的接触性

C.良好的稳定性

D.良好的工艺兼容性

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第6题
交联聚乙烯电缆内半导体电层、绝缘层和外半导电层同时挤出工艺的优点是什么?
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第7题
分子动理论描述了由大量分子、原子构成的系统的热运动规律,由该理论可判断下列说法中正确的是()

A.显微镜下观察到墨水中的小碳粒在不停的无规则运动,这反映了碳粒分子运动的无规则性

B.分子间的相互作用力随着分子间距离的增大,逐渐增大

C.分子势能随着分子距离的增大,逐渐减小

D.在真空、高温条件下,可以利用分子扩散向半导体材料掺入其它元素

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第8题
关于分子动理论、物体性质与物体的内能,下列说法中正确的是()

A.在一定条件下,可以利用分子扩散向半导体材料掺入其他元素

B.液体表面层的分子间距离较大,则分子间的引力和斥力都比液体内部的大

C.等温膨胀过程中,单位时间内在单位面积上碰撞气缸壁的分子数减少

D.不可能使热量从低温物体传向高温物体

E.液晶既像液体一样具有流动性,又跟某些晶体一样具有光学性质的各向异性

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第9题
不断进步的材料构筑了现代社会的文明。下列说法正确的是()。

A.宇航服所用的聚酯纤维属于无机非金属材料

B.高铁列车所用镁合金具有密度小、强度高、耐腐蚀等特点

C.石墨烯具有较强的导电性能,与金刚石互为同系物

D.

芯片常用作半导体器件和集成电路的电子材料,其主要成分为

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第10题
集成电路按制作()可分为半导体集成电路和薄膜集成电路。

A.流程

B.结构

C.材料

D.工艺

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第11题
电缆屏蔽层的材料是()材料,其体积电阻率为103~106Ω·m。

A.半导体

B.导体

C.绝缘体

D.超导体

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