如果结果不匹配，请 
更多“在PN结形成过程中，载流子扩散运动是（）作用下产生的，漂移运…”相关的问题
第10题
关于多晶硅和非晶硅电池，以下说法错误的是（)
A.在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。
B.非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。
D.与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应)，但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
第11题
随着PN结反向电压的增加，载流子在势垒区积累的能量增加，会发生雪崩倍增效应，当（)时，雪崩倍增因子趋于无穷大，发生雪崩击穿。
A.碰撞电离率小于1
B.碰撞电离率等于1
C.碰撞电离率积分等于1
D.碰撞电离率积分小于1
