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第1题
在P+N结二极管中，N区的宽度Wn远小于Lp，用=qS△pnA（S为表面复合速度)作为N侧末端的少数载流子电流，并以此为边
在P+N结二极管中，N区的宽度Wn远小于Lp，用
第2题
一个pn结二极管具有下列参数：ND=1016cm－3，NA=5×1018cm－3，τn=τp=1μs，A=0.01cm2。设该结两边的宽度远大于各自
一个pn结二极管具有下列参数：ND=1016cm-3，NA=5×1018cm-3，τn=τp=1μs，A=0.01cm2。设该结两边的宽度远大于各自少数载流子的扩散长度。试求室温(300K)时正向电流为1mA时的外加电压。设p型区的电子迁移率μn=500cm2/(V·s)，n型区的空穴迁移率μp=180cm2/(V·s)。
第3题
在一块N型Si衬底上，通过离子注入方式形成一个PN结二极管，其纵向剖面如下图所示。
(1)分别画出采用负胶和正胶工艺形成这个PN结二极管时所采用的掩模板的形貌，即P区、N区和P区的形成。
(2)如果制作小尺寸的PN结二极管，采用负胶还是正胶，为什么?
第7题
为防止奥氏体不锈钢焊接出现敏化区腐蚀，一般采用的18-8钢有（）。
A.Cr18Ni19
B.1Cr18Ni19、OOCr18Ni11
C.2Cr18Ni19
D.3Cr18Ni19、1Cr13
第10题
关于A型标准试片的叙述，错误的是（）。
A.分数值愈大，显示磁痕所需的有效磁场强度愈大
B.分数值愈小，检测缺陷的灵敏度愈高
C.能检测被检工件表面的磁场方向和有效磁化区
D.只适用于连续法不适用于剩磁法
