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[主观题]

氮化镓(GaN)是第三代半导体材料,具有热导率高、化学稳定性好等性质,在光电领域和高频微波器件应用等方面有广阔的前景。(1)传统的氮化镓制各方法是采用GaC13与NH3在一定条件下反应。NH3的电子式为()。(2)Johnson等人首次在1100℃下用液态镓与氨气制得氮化镓固体,该可逆反应每生成1molH2放出10.3kJ热量。其热化学方程式为()。(3)在恒容密闭容器中,加入一定量的液态镓与氨气发生上述反应,测得反应平衡体系中NH3的体积分数与压强(p)、温度(T)的关系如图所示。氮化镓(GaN)是第三代半导体材料,具有热导率高、化学稳定性好等性质,在光电领域和高频微波器件应用等①下列说法正确的是()(填标号)。a.温度:T1>T2b.当百分含量ω(NH3)=ω(H2)时,说明该反应处于化学平衡状态c.A点的反应速率小于C点的反应速率d.温度恒定为T2,达平衡后再充入氦气(氦气不参与反应),NH3的转化率不变②既能提高反应速率又能使平衡正向移动的措施有()(写出一条即可)。③气体分压(p分)=气体总压(p总)×体积分数,用平衡分压代替物质的量浓度也可以表示平衡常数(记作Kp)。在T2时,用含p6的计算式表示C点的()。(4)如图可表示氮化镓与铜组装成的人工光合系统的工作原理。H+向()(填“左”或“右”)池移动;铜电极上发生反应的电极反应式为()。氮化镓(GaN)是第三代半导体材料,具有热导率高、化学稳定性好等性质,在光电领域和高频微波器件应用等

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第1题
西安电子科技大学芜湖研究院,成功试制国产化5G通讯芯片用氮化镓材料,该材料是()

A.超导体

B.导体

C.半导体

D.绝缘体

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第2题
使用GaN(氮化镓)双口快充给手机和笔记本同时充电时,推荐以下哪种充电组合?()

A.20W+40W

B.65W+5W

C.5W+60W

D.22.5W+40W

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第3题
太阳能电池一般由半导体材料制成,下面属于半导体材料的是()

A.玻璃

B.砷化镓

C.锗

D.硅

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第4题
第一个晶体管采用的半导体材料是()。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化铟

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第5题
镓是微电子工业中应用最广泛的半导体材料,占整个电子材料的95%左右。()
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第6题
霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件,常用()及锑化铟等半导体材料制成。

A.锗

B.硅

C.砷化镓

D.砷化铟

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第7题
下列材料属于N型半导体是()。

A.硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)

B.硅中掺有元素杂质硼、铝(Al)

C.砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE)

D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁

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第8题
太阳能电池材料是由元素周期表中的III族元素();()和V族磷、砷元素组成的半导体,如用砷化镓、磷化铟等由III-V族化合物组成的半导体所构成的太阳能电池。
太阳能电池材料是由元素周期表中的III族元素();()和V族磷、砷元素组成的半导体,如用砷化镓、磷化铟等由III-V族化合物组成的半导体所构成的太阳能电池。

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第9题
第三代半导体材料又称高温半导体材料。()
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第10题
二极管按半导体材料可分为()。
二极管按半导体材料可分为()。

A . 硅二极管

B . 锗二极管

C . 变容二极管

D . 砷化镓二极管

E . 整流二极管

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第11题
放在手心里就能熔化的稀有金属镓,其沸点为2403℃,更奇妙的是镓熔化后在-120℃仍不易凝固;在常温下几乎不与氧气和水反应,但能溶于强酸和强碱;与其他金属融合可改善合金的性能;与硫、硒等非金属化合可生成优质的半导体材料。下列有关镓的用途叙述错误的是()

A.与硝酸反应制氢气

B.制作高温温度计

C.制晶体管材料

D.金与镓的合金用于镶牙

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