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[填空题]

二极管导通后,硅管管压降约为()伏,锗管压降为()伏。

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第1题
硅管的导通压降约为0.7V,锗管的导通压降约为()。
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第2题
硅材料二极管导通电压约为(),锗材料的约为()。

A.06~0.8V,0.1~0.2V

B.0.6~0.8V,0.2~0.3V

C.0.6~0.7V,0.1~0.2V

D.0.6~0.7V,0.2~0.3V

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第3题
二极管中,锗管正向压降比硅管小,反向漏电流比硅管大。()
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第4题
硅管正偏导通时,其管压降约为()

A.0.1

B.0.2

C.0.5

D.0.7

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第5题
锗晶体管的导通压降|UBE|约为()。

A.0.1V

B.0.3V

C.0.5V

D.0.7V

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第6题
二极管完全导通时在二极管两端存在正向导通压降,硅二极管正向导通压降为()。

A.0.1~0.3V

B.0.3~0.5V

C.0.6~0.7V

D.0.7~1V

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第7题
锗二极管的正向导通电压降约为()。

A.0.1V

B.0.3V

C.0.5V

D.0.7V

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第8题
关于半导体二极管的主要参数,下列说法不正确的是()。

A.最大整流电流:管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流

B.正向压降:二极管正向导通后的压降,一般情况,硅管的正向压降为0.2V左右

C.反向电流:指管子未击穿时的反向电流,这个值越小,管子的单向导电性越好

D.极间电容:PN结存在扩散电容和势垒电容,极间电容是反映二极管中PN結电容效应的参数,它是扩散点燃和势垒电容之和

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第9题
硅二极管的正向导通电压降约为()。

A.0.1V

B.0.3V

C.0.5V

D.0.7V

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第10题
半导体二极管在正向作用下处于导通状态,此时电阻很小,管压降也很小,所以可以看成短路,而在反向作用下二极管处于截止状态,此时反向电阻很大,可以看成开路。()
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第11题
三极管的导通电压为()。
三极管的导通电压为()。

A . 硅管0.3V

B . 锗管0.7V

C . 硅管0.7V

D . 硅管0.5V

E . 锗管0.3V

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