A.应自上而下逐级进行,严禁掏底开挖
B.开挖至边坡线前,应预留一定宽度
C.拟用作路基填料的土方,应分类开挖、分类使用
D.应采取临时排水措施,特殊情况下施工作业面可存在少量积水
E.开挖至零填、路堑路床部分后,应及时进行路床施工
A.硅是间接带隙半导体
B.禁带宽度具有负的温度系数
C.室温下,硅和锗的禁带宽度分别为1.12eV和1.43eV
D.位于能带底的电子,其有效质量为正,位于能带顶的电子,其有效质量为负
A、纵隔肿块
B、肺内肿块
C、主动脉瘤
D、胸膜肿块
E、胸腺肥大
A.37.0m
B.38.5m
C.41.0m
D.41.5m
A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时,反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B.在一定温度下,与Si材料相比,GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度,所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
C.p-n结两边掺杂浓度越高,越有利于降低反向饱和电流密度。
D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。