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为什么掺入杂质化合物的熔点会下降？

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更多“为什么掺入杂质化合物的熔点会下降？”相关的问题

第1题

当半导体掺入微量杂质后，其电阻率会显著增大。（)

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第2题

毛细管法测定熔点时，装入的试样量不能过多，否则结果偏高，试样疏松会使测定结果偏低。物质中混有杂质时，通常导致熔点下降。（）

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第3题

硅晶体中掺入硼原子，会引入杂质能级，该能级是（)，离（)近。

A.施主能级，导带底

B.施主能级，价带顶

C.受主能级，导带底

D.受主能级，价带顶

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第4题

炉渣中的氧化物大部分熔点很高，但它们之间相互作用会生成各种复杂化合物，从而（)炉渣的熔点。

A.提高

B.降低

C.不改变

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第5题

以下关于杂质的描述正确的是()。

A、半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射

B、电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率

C、中性杂质不会对半导体产生影响

D、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和

E、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差

F、如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体

G、杂质会在半导体的禁带中引入能级

H、如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷

I、如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心

J、如果杂质能级(深能级)的位置在EF附近，该杂质可有效促进载流子的复合，缩短非平衡载流子的寿命，起复合中心的作用，如掺入硅中的金

K、如果杂质能级(深能级)的位置在Ei附近，该杂质可暂时收容非平衡载流子，延长了非平衡载流子的寿命，起陷阱中心的作用

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第6题

‎与粉体材料对比，相应纳米材料的熔点会()，开始烧结温度和晶化温度也下降。‌

‎与粉体材料对比，相应纳米材料的熔点会（)，开始烧结温度和晶化温度也下降。‌

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第7题

当过滤器工作一段时间后,过滤器芯内沉淀了一定的杂质,这时压力降(),流速会(),需及时清除过滤器芯内的杂质;。

A.增大下降

B.增大上升

C.减小上升

D.减小下降

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第8题

提高半导体导电能力的最有效方法是：在半导体内掺入微量杂质。（)

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第9题

半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而发生变化。（）

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第10题

老网站为什么会搜索流量会下降呢？

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第11题

汽轮机冲转时为什么凝汽器会真空下降？

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