A.这个电容器加上50V电压时,电容才是10μF
B.这个电容器的最大电容为10μF,带电荷量较少时,电容小于10μF
C.这个电容器所加电压不能低于50V
D.这个电容器的电容总等于10μF
A.直流高压闪络法能测量闪络性故障及一切在直流电压下能产生突然放电的故障
B.冲击高压闪络法是向电容器充电,当储能到一定电压后,间隙击穿放电,向故障电缆加一冲击高压脉冲,使故障点放电
C.直流高压闪络法在电缆上加上直流高压,当电压达到某一数值时,电缆被击穿,形成短路电弧
D.冲击高压闪络法接线中的阻波电感是用来防止反射脉冲信号被储能电容短路,以便闪测仪提取反射回来的突跳电压波形
容器,并与两极平行.若该玻璃的相对电容率为7.0,击穿电场强度为10MV·m-1,则此时电容器会被击穿吗?
A.1-5kV电压等级电容单元:36kV,1min,无击穿及闪络
B.6-10kV电压等级电容单元:42kV,1min,无击穿及闪络
C.15kV电压等级电容单元:55kV,1min,无击穿及闪络
D.20kV电压等级电容单元:65kV,1min,无击穿及闪络