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更多“可控硅按其技术性能分单相可控硅，双相可控硅，可关断可控硅和逆…”相关的问题
第2题
用万用表R×10挡测量可控硅控制极与阴极间阻值时，正反向电阻都很大，说明管子是好的。()
用万用表R×10挡测量可控硅控制极与阴极间阻值时，正反向电阻都很大，说明管子是好的。（)
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此题为判断题(对，错)。
第3题
某可控硅控制线路中,流过负载R的电流i(t)如图6-21所示,即其中l0称为触发时间,如果T=0.02(s
某可控硅控制线路中,流过负载R的电流i（t)如图6-21所示,即其中l0称为触发时间,如果T=0.02（s
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某可控硅控制线路中,流过负载R的电流i(t)如图6-21所示,即
其中l0称为触发时间,如果T=0.02(s)(即ω=
=100π)
(1)当触发时间t0=0.0025(s)时,求0≤t≤
内电流的平均值;
(2)当触发时间为t0时,求[0,]内电流的平均值;
(3)要使i平均=
(A)和
(A),问相应的触发时间应为多少？
第4题
无电涌出现时为高阻抗，当出现电压电涌时突变为低阻抗。通常采用放电间隙、充气放电管、闸流管和三端
双向可控硅元件做组件的SPD称作：
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A.电压开关型SPD
B.限压型SPD
C.限流型SPD
D.组合型SPD
第9题
单相全控桥可控整流电路中功率因数cosφ比单相半波可控整流电路的功率因数提高了()倍。各管上承受的最大反向电压为()。
单相全控桥可控整流电路中功率因数cosφ比单相半波可控整流电路的功率因数提高了（)倍。各管上承受的最大反向电压为（)。
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