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[单选题]
以衬底为p型的理想MOS结构为例,当外加电压VG<0时,以下说法正确的是()。
A.负偏压较大时,氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大
B.负偏压较大时,总的MOS电容近似等于Cs,与外加电压无关
C.当负偏压减小时,能带下弯程度减小,QSC随ψs的变化减慢,因而Cs减小
D.当负偏压减小时,总的MOS电容为Cox与Cs串联组成,故将随负偏压减小而减小
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A.负偏压较大时,氧化层电容Cox比空间电荷区电容Cs大
B.负偏压较大时,总的MOS电容近似等于Cs,与外加电压无关
C.当负偏压减小时,能带下弯程度减小,QSC随ψs的变化减慢,因而Cs减小
D.当负偏压减小时,总的MOS电容为Cox与Cs串联组成,故将随负偏压减小而减小
证明:恰有i个映射f;Ni-Ni使得
(1)f(0)=0;
(2)f为的同态(f具有以下形式f(x)=px(modi),p=0.1,2,...,i-1);
(3)以<N3+3>为例,给出所有满足(1),(2)要求的3个同态映射f;
(4)给出所有满足f(0)=0的<N3+3>到的同态f;
(5)给出所有满足f(0)=0的<N3+3>到的同态f.
图中所示轴承中,采用一对角接触球轴承(轴承的附加轴向力的计算式为S=0.7R.),轴承的径向载荷分别为R1=I5000N,R2=7000N,作用在轴上的轴向外加载荷Fa=5600N,46312型轴承的e=0.68,当轴承的轴向载荷与径问载荷之比A/R>e时X=0.41,Y=0.87,fp=1,,试计算:
(1)两个轴承的轴向载荷A1、A2;
(2)两个轴承的当量动载荷P1、P2。
A.t分布图是一簇曲线
B.当自由度接近于无穷大时,t趋近于u
C.t分布图是单峰分布
D.t分布图以0为中心,左右对称
E.相同的自由度时,|t|越大,p越大