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[主观题]

硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？

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更多“硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或…”相关的问题

第1题

通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。（）

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第2题

以下（)不是减小涡流的常用措施。

A.增加涡流的路径

B.在普通钢中加入少量硅

C.使用质量较差的钢

D.采用非晶铁材料

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第3题

气相色谱仪中，温度显示表头显示的温度值不是十分准确。（）

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第4题

什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？

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第5题

以下晶体生长方法不是熔体生长单晶方法的是（)。

A.水热法

B.区域熔炼法

C.液相外延法

D.拉提法

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第6题

以下哪些不是太阳能光热发电的主流技术()。

A.槽式发电技术

B.塔式发电技术

C.晶硅发电技术

D.碟式发电技术

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第7题

乙苯脱氢制苯乙烯是气固相强放热反应，因此工艺过程的基本要求是要连续向反应系统供给大量热量，并保证化学反应在高温条件下进行。（)

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第8题

如何制备石墨烯（)。

A.微机械剥离法

B.氧化石墨还原法

C.外延生长法

D.CVD法(化学气相沉积)

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第9题

目前大多数集成电路生产中，所采用的基本材料为（)

A.单晶硅

B.非晶硅

C.锑化钼

D.硫化镉

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第10题

在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向？（)

A.(100)

B.(111)

C.(110)

D.(211)

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第11题

哪项工艺不是过氧化氢消毒机的主要作用原理（)。

A.VHP工艺

B.HPV工艺

C.aHP工艺

D.高速震晶

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