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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

锗材料的PN结所允许的温度同硅材料的PN结所允许的温度相比()。

A.要高

B.要低

C.具有同一性

D.不定

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第1题
硅材料的PN结压降为()。

A.0.7V

B.0.3V

C.1V

D.2V

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第2题
锗管一般为面接触型,它的PN结面积很大,允许通过的电流较小,但其高频性能好,一般用于高频检波及小功率整流电路中,也用于数字电路的开关元件。()
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第3题
晶闸管的管芯是由()型四层半导体材料组成,它具有三个PN结。
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第4题
当一个Si材料PN结外加反向电压时,它的耗尽层变宽,势垒增强。因此,其扩散电流为()

A.无穷大

B.毫安数量级

C.0mA

D.微安数量级

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第5题
晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。()
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第6题
晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流(或发射极电流)对______的控制。根据半导体
晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流(或发射极电流)对______的控制。根据半导体

的材料的不同,晶体管一般可分为______和______。根据结构的不同,晶体管又分为______和______。

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第7题
关于多晶硅和非晶硅电池,以下说法错误的是()

A.在扩散运动中,只有注入的少子存在很大的浓度梯度,因此扩散电流主要是由少子贡献。

B.非晶硅对可见光谱的吸收很强,是晶硅的500倍,整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍,因此非晶硅电池可做的很薄。

C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的,因此它们的基本结构是相同的。

D.与晶体硅电池相比,非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应),但其光电转化效率随温度升高下降较慢。

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第8题
常用的半导体材料有硅和锗。()
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第9题
国产二极管型号的意义,用拼音字母表示器件的材料和极性,A代表()。

A.材料

B.P型锗材料

C.N型锗材料

D.P型硅材料

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第10题
目前,大容量的整流元件一般都采用()材料制造。

A.锗

B.硅

C.呻

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第11题
第一个晶体管采用的半导体材料是()。

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.磷化铟

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