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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

在制备完好的单晶衬底上,延其原来晶向,生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层,该薄膜制备方法是()。

A.外延

B.热氧化

C.PVD

D.CVD

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第1题
外延层的晶向与衬底的晶向相同。()
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第2题
如果衬底是(100)晶向,那么外延层也是(100)晶向。()
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第3题
硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离(100)或(111)等晶向一个小角度,为什么?
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第4题
通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延,反之称为反向外延。()
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第5题
低阻衬底上生长高阻外延层称为正向外延。()
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第6题
在色版设计中,具有明显色向的色块,应选用()为衬底

A. 灰色

B. 其同类色向的淡色

C. 和这种色块明度相同的颜色

D. 选择画面总色调

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第7题
一单晶刻面宝石,在偏光镜下为全消光,该宝石是()。

A.单斜晶系

B.三方或六方晶系

C.低级晶簇

D.等轴晶系或台面垂直光镜

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第8题
在非均质生核中,外来固相凹面衬底的生核能力比凸面衬底弱。()
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第9题
在制剂工艺上,仿制药与原研药可能存在哪几方面的差异()。

A.药物晶型

B.旋光异构体

C.工艺杂质

D.成盐情况、辅料、制备工艺和制药设备等

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第10题
薄膜制备的方式中,CVD不消耗衬底材料。()
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第11题
说明单晶、多晶及非晶的电子衍射花样的特征。
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