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[填空题]

在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解,三极管的放大工作区可与场效应管的()区相类比,而场效应管的可变电阻区那么可以和三极管的()相类比。

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第1题

场效应管的特性曲线有两条:()特性曲线和()特性曲线。

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第2题
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为()场效应管。

A.P沟道增强型MOS型

B.P沟道耗尽型MOS型

C.N沟道增强型MOS型

D.N沟道耗尽型MOS型

E.N沟道结型

F.P沟道结型

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第3题
场效应管是在()之后发展起来的一种较特殊的半导体器件。

A.晶体二极管

B.晶闸管

C.晶体三极管

D.达林顿管

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第4题
场效应管与晶体三极管一样,它们都是电流控制的电子器件。()
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第5题
晶体三极管极性判断可依据三极管的()特性。

A.电流放大

B.电压放大

C.电流稳定性

D.电压稳定性

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第6题
晶体二极管的伏安特性可简单理解为()导通,反向截止的特性硅晶体三极管发射结的导通电压约为0.7V,锗晶体三极管发射结的导通电压约为0.3V。
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第7题
混频器中晶体三极管在静态工作点上展开的转移特性由下列幂级数表示:。已知混频器的本振频率为f

混频器中晶体三极管在静态工作点上展开的转移特性由下列幂级数表示:。已知混频器的本振频率为fL=23MHz,中频频率fI=fL-fC=3MHz。若在混频器输入端同时作用fM1=19.6MHz和fM2=19.2MHz的干扰信号,试问在混频器输出端是否会有中频信号输出?它是通过转移特性的几次方项产生的?

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第8题
晶体三极管的特性可分为()特性和()特性及反向击穿特性。
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第9题
V-[S]曲线可以用来描述酶的动力学特性,在下列几种酶中,V-[S] 曲线为双曲线的酶是( ), V-[S]曲线可以为s形曲线的酶是( )。
V-[S]曲线可以用来描述酶的动力学特性,在下列几种酶中,V-[S] 曲线为双曲线的酶是(), V-[S]曲线可以为s形曲线的酶是()。

A、同工酶

B、变构酶

C、米氏酶

D、丙酮酸脱氢酶系

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第10题
已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示.求解电路的Q点和Au.

已知图P2.16(a)所示电路中场效应管的转移特性如图(b)所示.求解电路的Q点和Au.

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第11题
由凸轮控制器控制的对称电路的起升机构电动机在下降时的机械特性曲线位于第四象限,电动机工作在______状态。

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