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[主观题]

电路如图题6.4.4所示,其中VDD=5V,Rs1=1千欧,Rg1=15千欧,Rg2=10千欧,Rd=4

千欧,gm=0.8mS,λ=0,Cgn=1pF,Cgd=0.5pF。试估算源电压增益的上限频率fH和中频源电压增益ArSM

电路如图题6.4.4所示,其中VDD=5V,Rs1=1千欧,Rg1=15千欧,Rg2=10千欧,Rd

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第1题
源极跟随器电路如图题4.5.2所示,场效应管参数为Kn=mA/V2,VTS=1.2/V,λ=0。电路参数
为VDD=VSS=5V,Rg=500千欧,RL=4千欧。若电流源I=1mA,试求小信号电压增益Ag=v0/v1和输出电阻R0

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第2题
已知由555定时器构成的施密特触发器的输入波形如图P6.4所示.其中,Um=20v,电源电压VDD=
18V,定时器控制端CO通过电容接地,试画出施密特触发器对应的输出波形.如果定时器控制端CO外按控制电压Us=16V时,试画出施密特触发器对应的输出波形.

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第3题
题5.12图(a)所示电路中,i(0)=0,输入电压波形如图(b)所示,求i(t)。

题5.12图(a)所示电路中,i(0)=0,输入电压波形如图(b)所示,求i(t)。

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第4题
电路如图题9.6.1所示,试用相位平衡条件判断哪个电路可能振荡,哪个不能,并简述理由。

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第5题
电路如图题2-18所示。已知Rs=600Ω,β=50。(1)画出该电路的微变等效电路;(2)求输入电阻ri
电路如图题2-18所示。已知Rs=600Ω,β=50。(1)画出该电路的微变等效电路;(2)求输入电阻ri

电路如图题2-18所示。已知Rs=600Ω,β=50。

(1)画出该电路的微变等效电路;

(2)求输入电阻ri和输出电阻ro;

(3)当时us=15mV,求输出电压uo

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第6题
低压稳压电路如图题3.4.15所示。(1)利用碓二极管恒压降模型求电路的ID和v0(VD=0.7
低压稳压电路如图题3.4.15所示。(1)利用碓二极管恒压降模型求电路的ID和v0(VD=0.7

V);(2)在室温(300K)情况下,利用二极管的小信号模型求v0的变化范围。

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第7题
已知电路参数如图题4.4.3所示,FET工作点上的gm=1mS,设rdm> Rd。(1)画出电路的小信
已知电路参数如图题4.4.3所示,FET工作点上的gm=1mS,设rdm> Rd。(1)画出电路的小信

号等效电路;(2)求电压增益AF;(3)求放大器的输入电阻Ri

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第8题
电路如图题3.4.7所示,D1、D2为硅二极管,当vN=6sinwtV时,试用恒压降模型分析电路,绘
出输出电压v0的波形。

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第9题
在如图题2-10所示电路中,β=100,其他参数如图所示。(1)求静态工作点IBQ、ICQ、ICEQ。(2
在如图题2-10所示电路中,β=100,其他参数如图所示。(1)求静态工作点IBQ、ICQ、ICEQ。(2

在如图题2-10所示电路中,β=100,其他参数如图所示。

(1)求静态工作点IBQ、ICQ、ICEQ

(2)画出中频微变等效电路。

(3)求电压放大倍数

(4)求输入电阻ri和输出电阻ro

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第10题
将电压源vn转换为电流源iL驱动线圈ZL的电压-电流转换器,如图题2.3.8所示。求iL
/vn表达式。(注:电路中为使iL独立于ZL,设)

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第11题
四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET?

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET?

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