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题目内容（请给出正确答案）

[单选题]

某场效应管的转移特性如图2-8所示，该管为()。

A.P沟道增强型MOS管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

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第1题

已知图P2.16（a)所示电路中场效应管的转移特性如图（b)所示.求解电路的Q点和A_u.

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第2题

一个JFET的转移特性曲线如图题4.8.3所示，试问：（1) 它是N沟道还是P沟道的FET？（2) 它的夹断电压V

一个JFET的转移特性曲线如图题4.8.3所示，试问：

(1) 它是N沟道还是P沟道的FET？

(2) 它的夹断电压V_p和饱和漏极电流I_DSS各是多少？

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第3题

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET？

四个FET的转移特性分别如图题5.3.5a,b,c,d所示,其中漏极电流i_D的假定正向是它的实际方向.试问它们各是哪种类型的FET？

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第4题

四个FET的转移特性分别如图题4.8.5a，b，c，d所示，其中漏极电流iD的假定正向是它的实际方向。试问

它们各是哪种类型的FET？

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第5题

电路如图 P1.15所示,T的输出特性如图 Pl.14 所示,分析当u_l=4V、 8V 、 12V 三种情况下场效

应管分别工作在什么区域.

图PI.15

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第6题

源极跟随器电路如图题4.5.2所示，场效应管参数为K_n=mA/V₂，V_TS=1.2/V，λ=0。电路参数

为V_DD=V_SS=5V，R_g=500千欧，R_L=4千欧。若电流源I=1mA，试求小信号电压增益A_g=v₀/v₁和输出电阻R₀。

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第7题

斜率鉴频电路如图NP5-18(a)所示，已知调频波试画出鉴频特性的波形(坐标对齐)。

斜率鉴频电路如图NP5-18（a)所示，已知调频波试画出鉴频特性的波形（坐标对齐)。

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第8题

非线性特性如图2-7-20所示，试计算非线性特性的描述函数,并在复平面上画出负倒描述函数-1/N（x)。

非线性特性如图2-7-20所示，试计算非线性特性的描述函数,并在复平面上画出负倒描述函数-1/N(x)。

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第9题

单位负反馈系统开环对数辐频渐近特性曲线如图2-5-44所示，若开环传递函数有一个大于零的零点,

求该开环传递函数,画开环幅相特性曲线,并利用奈奎斯特判据判断系统闭环稳定性。

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第10题

某化合物的分子式为，红外光谱如图8-11所示。解析该化合物的结构。

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第11题

某被控对象的传递函数如图2-9-8所示。设计该系统的一个状态观测器,使其极点位于-6，-6。

某被控对象的传递函数如图2-9-8所示。

设计该系统的一个状态观测器,使其极点位于-6，-6。

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