如果结果不匹配，请 
更多“简述雪崩光电二极管的雪崩倍增效应。”相关的问题
第1题
随着PN结反向电压的增加，载流子在势垒区积累的能量增加，会发生雪崩倍增效应，当（)时，雪崩倍增因子趋于无穷大，发生雪崩击穿。
A.碰撞电离率小于1
B.碰撞电离率等于1
C.碰撞电离率积分等于1
D.碰撞电离率积分小于1
第3题
光接收机中常用的光电检测器是（)
A.PIN光电二极管和半导体激光二极管LD
B.PIN光电二极管和半导体激光二极管LD
C.半导体发光二极管LED和APD雪崩光电二极管
D.PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管
第9题
半导体光检测器主要有两类：PIN光电二极管和雪崩光电二极管（APD)，APD管由于其灵敏度比较高一般为（)dBm左右,适用于长距离传送。
A.-14
B.-20
C.-28
D.-45
第10题
下列不属于影响雪崩二极管响应速度的因素是（)。
A.载流子在耗尽层的渡越时间
B.结电容和负载电阻的RC时间常数
C.结电容和负载电感的LC时间常数
D.载流子完成倍增过程所需要的时间
