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[单选题]

随着温度的增高,本征半导体内会产生大量的()。

A.电子空穴对

B.自由电子

C.空穴

D.杂质

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第1题
在本征硅半导体中,掺人浓度为5x1015cm-3的受主杂质,试指出T=300K时所形成的杂质半导体类型.若再掺人浓度为1016cm-3的施主杂质,则将为何种类型半导体?若将该半导体温度分别上升到T=500K、600K,试分析为何种类型半导体.

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第2题
导体或半导体材料在外界力的作用下,会产生机械变形,其电阻值也将随着发生变化,这种现象称为应变效应。应变片传感器由电阻应变片和()两部分组成。
导体或半导体材料在外界力的作用下,会产生机械变形,其电阻值也将随着发生变化,这种现象称为应变效应。应变片传感器由电阻应变片和()两部分组成。

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第3题
本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。()
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第4题
带电子多的杂质半导体称为()。

A.N型半导体

B.P型半导体

C.本征型半导体

D.电子型半导体

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第5题
某一半导体材料的禁带宽度为2.6电子伏特,则该半导体本征吸收的长波极限为()纳米。
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第6题
某一半导体材料的禁带宽度为3.1电子伏特,则该半导体本征吸收的长波极限为()纳米。
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第7题
在本征半导体硅中,掺入微量的()元素,就形成了N型半导体。

A.四价

B.三价

C.五价

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第8题
请以硅为例,叙述本征半导体的导电过程

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第9题
本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是()。

A.大于

B.小于

C.等于

D.无关

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第10题
半导体热敏电阻的电阻值随着温度的升高而升高。()
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第11题
P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成。

A.三价

B.四价

C.五价

D.六价

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