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[判断题]

如果衬底是(100)晶向,那么外延层也是(100)晶向。()

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第1题
硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离(100)或(111)等晶向一个小角度,为什么?
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第2题
异质外延对衬底和外延层有什么要求?
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第3题
通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延,反之称为反向外延。()
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第4题
什么是扩散效应?什么是自掺杂效应?这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化?
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第5题
外延在半导体生产中的作用是()。

A.实现杂质浓度突变

B.优化衬底材料性能

C.设计更加灵活

D.让硅片更厚

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第6题
如果所有A是B,那么A与B的外延关系可能是().

A.全同关系

B.真包含关系

C.真包含于关系

D.交叉关系

E.全异关系

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第7题
假设你有5个大小为7x7、边界值为0的卷积核,同时卷积神经网络第一层的深度为1。此时如果你向这一层传入一个维度为224x224x3的数据,那么神经网络下一层所接收到的数据维度是多少()。

A.218x218x5

B.217x217x8

C.217x217x3

D.220x220x5

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第8题
设是映射,又令,证明:(i)如果h是单射,那么f也是单射;(ii)如果h是满射,那么g也是满射;(iii)如果f

是映射,又令,证明:

(i)如果h是单射,那么f也是单射;

(ii)如果h是满射,那么g也是满射;

(iii)如果f,g都是双射,那么h也是双射,并且

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第9题
倒角的目的是:()、()、()。

A.防止晶圆受到撞击而导致边缘破裂

B.防止热应力产生的缺陷在边缘产生并阻止其向内部移动

C.增加晶圆边缘的平坦度

D.去除晶圆表面微量的损伤层

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第10题
在硅片晶向、掺杂类型介绍中,由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向?()

A.(100)

B.(111)

C.(110)

D.(211)

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第11题
在墙体的结构设置中,如厚度设置为“0”,其功能必须是()

A.面层1[4]

B.面层2[5]

C.涂膜层

D.衬底

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