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[主观题]

三极管的发射极与()之间的PN结称为发射结。

三极管的发射极与（)之间的PN结称为发射结。

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第1题

晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。（)

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第2题

晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流(或发射极电流)对______的控制。根据半导体

晶体管是利用2个相邻的、互相影响的PN结实现基极电流（或发射极电流)对______的控制。根据半导体

的材料的不同，晶体管一般可分为______和______。根据结构的不同，晶体管又分为______和______。

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第3题

放大器未加变化电压信号时的工作状态叫做静态，为了使放大器能够正常工作，在静态时晶体三极管的（)发射结必须处于正向偏置，集电结必须处于反向偏置。

A.PN结

B.基极

C.发射结

D.发射极

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第4题

如果测得三极管b，e极间和b，c极间PN结的正反向电阻都很大，这说明三极管（)。A.良好B.断路C.击穿D.以

如果测得三极管b，e极间和b，c极间PN结的正反向电阻都很大，这说明三极管()。

A.良好

B.断路

C.击穿

D.以上答案都不对

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第5题

三极管的反向饱和电流Icb0是指发射极e开路时（)极之间的反向电流。

A.e和b

B.e和c

C.c和b

D.b和f

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第6题

MOS管的栅极与双极型三极管的（)相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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第7题

处于放大状态的三极管发射极电流是基极电流的（1£«β)倍。（)

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第8题

考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。（)

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第9题

PN结的导电特性是（)。

A.单向导电

B.反向导电

C.双向导电

D.PN结导电

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第10题

硅材料的PN结压降为（)。

A.0.7V

B.0.3V

C.1V

D.2V

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