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题目内容 (请给出正确答案)
[单选题]

以NPN型漂移晶体管为例,基区内建电场的存在加速了在基区中的运动,该载流子做运动。()

A.电子,扩散

B.电子,漂移

C.电子,漂移和扩散

D.空穴,漂移

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第1题
以npn晶体管为例,内建电场的存在加速了()在基区中的运动,该载流子做()运动。

A.电子,扩散

B.电子,漂移和扩散

C.空穴,扩散

D.空穴,漂移和扩散

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第2题
以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为()。

A.增加发射区掺杂浓度

B.增加基区掺杂浓度

C.增加集电区掺杂浓度

D.减少发射结结深

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第3题
以下各项中,不能提高双极型晶体管电流放大系数的措施是()。

A.降低发射区与基区的方块电阻之比

B.减小基区宽度

C.减小基区自建电场因子

D.提高基区少子寿命和迁移率

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第4题
空间电荷区,内建电场及方向;漂移电流和扩散电流及其方向。

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第5题
双极型晶体管基区渡越时间指的是粒子越过基区所需的不同时间的()。

A.最大值

B.最小值

C.平均值

D.总值

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第6题
由于双极型晶体管有效基区宽度的变化,引起基区中少子积累的变化,反应出()的充放电效应。

A.集电结势垒电容

B.集电结扩散电容

C.发射结势垒电容

D.发射结扩散电容

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第7题
晶体管的基本类型有PNP型和NPN型两种。()
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第8题
晶体管的类型分成PNP和NPN型。()
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第9题
已知某晶体管的E、B、C三个极的电位分别为£­8V、£­8.3V、£­12V,则此管工作于()状态,此管属()型。

A.截止/NPN

B.截止/PNP

C.放大/NPN

D.放大/PNP

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第10题
晶体管是由三层半导体材料组成的。有三个区域,中间的一层为()。

A.基区

B.栅区

C.集电区

D.发射区

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第11题
晶体管的基区很薄且杂质浓度很高。()
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