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[判断题]

TTL与非门输入采用多发射极三极管,其目的是提高电路的开关速度。()

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第1题
三极管共发射极电路的输入输出特性曲线包括哪几个特性()?

A.集电极电流与发射极电流放大系数

B.基极—集电极电流放大系数

C.饱和与截止特性

D.反向击穿特性

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第2题
电路如图P2.7所示,两个OC门驱动三个TTL与非门,已知V'cc=5V,与非门的低电平输入电流为I

电路如图P2.7所示,两个OC门驱动三个TTL与非门,已知V'cc=5V,与非门的低电

平输入电流为IIL=1mA,高电平输入电流为IDH=40μA、OC门截止时的漏电流为IOH=200uA,导通时允许的最大负载电流为ILM=16mA要求OC门输出的高电平UOH≥3V,低电平UOL≤0.4V.试求电路中外接负载电阻RL的取值范围.

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第3题
HTL与非门与TTL与非门相比()

A.HTL比TTL集成度高

B.HTL比TTL作速度快

C.HTL比TTL抗干扰能力强

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第4题
有两组TTL与非门器件,分别测得它们的技术参数如下:试分别求出它们的噪声容限,并判断哪组门电路

有两组TTL与非门器件,分别测得它们的技术参数如下:

试分别求出它们的噪声容限,并判断哪组门电路的抗干扰能力强。

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第5题
TTL与非门输出低电平时带()负载,输出高电平时带()负载。
TTL与非门输出低电平时带()负载,输出高电平时带()负载。

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第6题
三极管发射极电流主要由发射区电子电流产生。()
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第7题
处于放大状态的三极管发射极电流是基极电流的(1£«β)倍。()
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第8题
用万用表测试三极管,如果集电极c与发射极e之间的电阻为零,则说明()。

A.三极管已经断路

B.三极管已经被击穿

C.三极管老化

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第9题
MOS管的栅极与双极型三极管的()相对应。

A.基极

B.集电极

C.发射极

D.发射极或集电极

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第10题
三极管的发射极与()之间的PN结称为发射结。
三极管的发射极与()之间的PN结称为发射结。

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第11题
电路如图P2.8所示,G1,G2为TTL与非OC门,G3为TTL普通与非门,设与非门输出高电平UO
H=3.6V,低电平UOL=0.3V,电压表V1,V2的内阻为20kΩ,试求下列三种情况下电压表V1,V2的读数.

(1)S断开:(2)S闭合且G1,G2输出为高电平(3)s闭合且G1,G2任一输出为低电平.

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