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第3题
以下关于MOS管跨导的说法中，错误的是（)。
A.跨导反映外加栅极电压控制漏-源电流的能力
B.跨导指的是栅极电压每变化1伏特所引起的栅-源电流的变化
C.跨导标志着MOS场效应管的电压放大能力
D.MOS管的跨导越大，电压增益也越大
第5题
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为（)场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS
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场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为()场效应管。
A.P沟道增强型MOS型
B.P沟道耗尽型MOS型
C.N沟道增强型MOS型
D.N沟道耗尽型MOS型
E.N沟道结型
F.P沟道结型
第6题
关于场效应管，下列说法错误的是()。
A.场效应管只有一种载流子导电，所以是单极型器件
B.场效应管是电压控制电流型器件，分为MOSFET和JFET两大类
C.MOSFET分N沟道和P沟道，按照导电沟道形成机理不同，NMOS管和PMOS管又各有增强型和耗尽型两种
D.JFET也分N沟道和P沟道，所以也各有增强型和耗尽型两种
第8题
源极跟随器电路如图题4.5.2所示，场效应管参数为Kn=mA/V2，VTS=1.2/V，λ=0。电路参数
为VDD=VSS=5V，Rg=500千欧，RL=4千欧。若电流源I=1mA，试求小信号电压增益Ag=v0/v1和输出电阻R0。
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第10题
高频功率放大器的功放管常采用N沟道增强型的V-MOSFET(具有V形槽的MOSFET)。其最大特点是利用严
高频功率放大器的功放管常采用N沟道增强型的V-MOSFET（具有V形槽的MOSFET)。其最大特点是利用严
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格控制扩散结深的方法来控制沟道长度，以提高它的()。由于V-MOSFET的沟道短，栅漏间的()较小，其工作频率可达到20GHz。
第11题
某场效应管，在漏、源电压保持不变的情况下，柵源电压UGs变化4V，相应的漏极电流变化16mA，该管的跨导是（）。
A.4mA/V
B.0.25mA/V
C.0.25V/mA
D.4A/V
