首页 > 学历类考试
题目内容 (请给出正确答案)
[判断题]

外延层的晶向与衬底的晶向相同。()

查看答案
答案
收藏
如果结果不匹配,请 联系老师 获取答案
您可能会需要:
您的账号:,可能还需要:
您的账号:
发送账号密码至手机
发送
安装优题宝APP,拍照搜题省时又省心!
更多“外延层的晶向与衬底的晶向相同。()”相关的问题
第1题
硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离(100)或(111)等晶向一个小角度,为什么?
点击查看答案
第2题
通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延,反之称为反向外延。()
点击查看答案
第3题
倒角的目的是:()、()、()。

A.防止晶圆受到撞击而导致边缘破裂

B.防止热应力产生的缺陷在边缘产生并阻止其向内部移动

C.增加晶圆边缘的平坦度

D.去除晶圆表面微量的损伤层

点击查看答案
第4题
影响渣向耐火材料渗透的主要因素有:耐火材料中气孔的尺寸、晶相的尺寸、渣的黏度以及渣与耐火材料的润湿性。()
点击查看答案
第5题
异质外延对衬底和外延层有什么要求?
点击查看答案
第6题
在色版设计中,具有明显色向的色块,应选用()为衬底

A. 灰色

B. 其同类色向的淡色

C. 和这种色块明度相同的颜色

D. 选择画面总色调

点击查看答案
第7题
小角度晶界晶粒的位向差小于()度。
点击查看答案
第8题
下列属于晶向指数的为()。

A.(100)

B.[100]

C.{100}

D.<100>

点击查看答案
第9题
立方晶系中<111>晶向族包含多少个晶向()?

A.4

B.8

C.10

D.12

点击查看答案
第10题
常温下H2S-H2O介质(或称湿H2S)所产生的腐蚀是()。

A.化学腐蚀

B.电化学腐蚀

C.应力腐蚀

D.晶向腐蚀

点击查看答案
第11题
要减少Si-SiO2界面附近的固定正电荷,可通过退火,选用晶向()。

A.低温,(100)

B.低温,(111)

C.高温,(100)

D.高温,(110)

点击查看答案
退出 登录/注册
发送账号至手机
密码将被重置
获取验证码
发送
温馨提示
该问题答案仅针对搜题卡用户开放,请点击购买搜题卡。
马上购买搜题卡
我已购买搜题卡, 登录账号 继续查看答案
重置密码
确认修改