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第2题
关于PN结说法正确的是（）。
A.利用杂质补偿原理，在P型和N型半导体的界面上形成PN结
B.在PN结的界面上发生载流子的扩散；由于复台作用，界面上载流子被耗尽
C.耗尽层内由于离子带电形成空间电荷区
D.内建电场引起的漂移运动与扩散运动方向相反，最终阻止载流子的进一步移动
第10题
一个pn结二极管具有下列参数：ND=1016cm－3，NA=5×1018cm－3，τn=τp=1μs，A=0.01cm2。设该结两边的宽度远大于各自
一个pn结二极管具有下列参数：ND=1016cm-3，NA=5×1018cm-3，τn=τp=1μs，A=0.01cm2。设该结两边的宽度远大于各自少数载流子的扩散长度。试求室温(300K)时正向电流为1mA时的外加电压。设p型区的电子迁移率μn=500cm2/(V·s)，n型区的空穴迁移率μp=180cm2/(V·s)。
