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[判断题]

迁移率反映的是载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平均漂移速度。()

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第1题

（）反映的是载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平均漂移速度。

A.扩散率

B.导电率

C.迁移率

D.电阻率

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第2题

在非本征半导体中，载流子（电子和空穴）的激发方式为（）。

A.电

B.热

C.磁

D.掺杂

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第3题

在N型半导体中多数载流子是（）

A.空穴

B.自由电子

C.电子空穴对

D.原子核

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第4题

以npn晶体管为例，内建电场的存在加速了（)在基区中的运动，该载流子做（)运动。

A.电子，扩散

B.电子，漂移和扩散

C.空穴，扩散

D.空穴，漂移和扩散

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第5题

在P型半导体中多数载流子是（)，在N型半导体中多数载流子是（)。

A.空穴/自由电子

B.自由电子/空穴

C.空穴/共价键电子

D.负离子/正离子

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第6题

在热平衡时，也就是在给定温度下，没与任何外加刺激，流经p-n结的电子和空穴净值为（)。

A.多数载流子

B.少数载流子

C.零

D.电荷

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第7题

以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了在基区中的运动，该载流子做运动。（)

A.电子，扩散

B.电子，漂移

C.电子，漂移和扩散

D.空穴，漂移

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第8题

晶体管中电子和空穴两种载流子都参与导电。（)

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第9题

反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是（）。

A.扩散率

B.导电率

C.电阻率

D.迁移率

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第10题

载流子迁移率(μ)的单位是()。

A.

B.

C.

D.

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第11题

P型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（)

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