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第3题
半导体具有光敏特性、()特性和掺杂特性。根据掺杂的不同，可分为N型半导体和()型半导体，半导体中有()和()两种载流子参与导电。
半导体具有光敏特性、（)特性和掺杂特性。根据掺杂的不同，可分为N型半导体和（)型半导体，半导体中有（)和（)两种载流子参与导电。
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第5题
半导体的主要特点有（)。
A.在纯净的半导体材料中，电导率随温度的上升而指数增加
B.半导体中杂质的种类和数量决定着半导体的电导率，而且在掺杂情况下，温度对电导率的影响较弱
C.在半导体中不可以实现非均匀掺杂
D.光的辐射、高能电子等注入可以影响半导体的电导率
第7题
关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（)
A.p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。
B.在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。
C.p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。
D.与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
