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[填空题]
设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路，需要（）、（）、（）、（）、（）、反刻铝电极等六次光刻。
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A.在扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是由少子贡献。
B.非晶硅对可见光谱的吸收很强，是晶硅的500倍，整个太阳光谱中的吸收系数也为单晶硅的40倍，因此非晶硅电池可做的很薄。
C.多晶硅和非晶硅电池都是由pn结构成的，因此它们的基本结构是相同的。
D.与晶体硅电池相比，非晶硅电池中存在光诱导退化效应(S-W效应)，但其光电转化效率随温度升高下降较慢。
如果测得三极管b，e极间和b，c极间PN结的正反向电阻都很大，这说明三极管()。
A.良好
B.断路
C.击穿
D.以上答案都不对
A.两个PN结都被击穿
B.两个PN结都被烧断
C.只有发射极被烧断
D.只有集电极被烧断
