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[主观题]

设圆柱螺线 设x(t)(an中的C1正则曲线,x(t0)为定点P0到该曲线距离最近的点.证明:切向量x(t0)与x(

设x(t)(an中的C1正则曲线,x(t0)为定点P0到该曲线距离最近的点.证明:切向量x(t0)与x(t0)一P0垂直.

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第1题
设平面薄片所占的闭区域D由螺线p=2θ上一段弧(0≤θ≤)与直线所围成,它的面密度为u(x,y)=x2
设平面薄片所占的闭区域D由螺线p=2θ上一段弧(0≤θ≤)与直线所围成,它的面密度为u(x,y)=x2

设平面薄片所占的闭区域D由螺线p=2θ上一段弧(0≤θ≤)与直线所围成,它的面密度为u(x,y)=x2+y2.求这薄片的质量.

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第2题
设E是巴拿赫空间,按一致算子拓扑收敛于,λ0是T的特征值,则当λ充分大时,λ0也是Tn的正则值,且

设E是巴拿赫空间,按一致算子拓扑收敛于,λ0是T的特征值,则当λ充分大时,λ0也是Tn的正则值,且

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第3题
设中边值问题 的古典解.v(x,t)是有界可测函数,v(x,t)满足估计|v|≤C,C>0是给定常数. 是否可以选择函数v(

中边值问题

的古典解.v(x,t)是有界可测函数,v(x,t)满足估计|v|≤C,C>0是给定常数.

是否可以选择函数v(x,t),使得对所有的t>t*有u(x,t)三0?其中t*是某个正的常数.

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第4题
设有一个定域电子置于沿x方向均匀恒定磁场B中,其Hamilton量(只与自旋状态有关)表为 设t=0时电子自旋“向

设有一个定域电子置于沿x方向均匀恒定磁场B中,其Hamilton量(只与自旋状态有关)表为

设t=0时电子自旋“向上”,试求t时刻电子自旋态x(t)。

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第5题
计算,l是螺线:x=acost,y=asint,z=at,(0≤t≤2π)

计算,l是螺线:x=acost,y=asint,z=at,(0≤t≤2π)

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第6题
假设真空中一点电荷q以等速度v()沿z轴运动,而且在t=0时刻经过坐标原点。试计算任意点的位移电流密度。 [提示

假设真空中一点电荷q以等速度v()沿z轴运动,而且在t=0时刻经过坐标原点。试计算任意点的位移电流密度。

[提示:设M点的圆柱坐标为(r,φ,z),则M点的矢量

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第7题
设f(x)为连续函数,且F(x)=f(t)dt,则F'(x)=______.

设f(x)为连续函数,且F(x)=f(t)dt,则F'(x)=______.

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第8题
设X(t)和Y(t)是两个相互独立的平稳过程,均值μX和μY都不为零,定义 Z(t)=X(t)+Y(t).试计算SXY(ω)和SXZ(ω).

设X(t)和Y(t)是两个相互独立的平稳过程,均值μX和μY都不为零,定义

Z(t)=X(t)+Y(t).试计算SXY(ω)和SXZ(ω).

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第9题
设A=(aij)是秩为n的n阶实对称矩阵,Aij是|A|中元素aij的代数余子式(i,j=1,2,···,n)
设A=(aij)是秩为n的n阶实对称矩阵,Aij是|A|中元素aij的代数余子式(i,j=1,2,···,n)

,二次型

(1)记X=(x1,x2,···,xn)T,试写出二次型f(x1,x2,···,xn)的矩阵形式。

(2)判断二次型g(X)=XTAX与f(X)的规范形是否相同,并说明理由。

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第10题
设求φ(x)=f(t)dt在[0,2]上的表达式,并讨论φ(x)在(0,2)内的连续性.
设求φ(x)=f(t)dt在[0,2]上的表达式,并讨论φ(x)在(0,2)内的连续性.

求φ(x)=f(t)dt在[0,2]上的表达式,并讨论φ(x)在(0,2)内的连续性.

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第11题
设当t<3时,x(t)=0,则使X(1-t)+X(2-t)=0的t值为()。

A.t>-2或t>-1

B.t=1和t=2

C.t>-1O

D.t>-2

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